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配资之家网常見的場管參數

来源:http://www.ntweilai.com 更新:2013-11-19 12:32

Mosfet參數含義說明 Features:
Vds:DS擊穿電壓.當Vgs=0V時,MOS的DS所能承受的最大電壓
Rds(on):DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻
Id:最大DS電流.會随溫度的升高而降低
Vgs:最大GS電壓.一般为:-20V~+20V
Idm:最大脈沖DS電流,會随溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系
Pd:
電魚器的最大耗散功率
Tj:最大工作結溫,通常为150度和175度
Tstg:最大存儲溫度
Iar:雪崩電流
Ear:重複雪崩擊穿能量
Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss:DS擊穿電壓
Idss:飽和DS電流,uA級的電流
Igss:GS驅动電流,nA級的電流
gfs:跨導
Qg:G總充電電量
Qgs:GS充電電量
Qgd:GD充電電量
Td(on):導通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr:上升時間,輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10% 的時間
Td(off):關斷延遲時間,輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關斷電壓時10%的時間
Tf:下降時間,輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間
Ciss:輸入電容,Ciss=Cgd + Cgs
Coss:輸出電容,Coss=Cds +Cgd
Crss:反向傳輸電容,Crss=Cgc