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電魚器模拟電路的重點

来源:http://www.ntweilai.com 更新:2014-03-09 13:29

場效應管是隻有一種載流子參與導電的半導體器件,是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有 N 溝道和 P 溝道兩種器件。有結型場管和絕緣栅型場管 IGFET 之分。IGFET 又稱金屬-氧化物-半導體管 MOSFET。MOS 場效應管有增強型 EMOS 和耗盡型 DMOS 兩大類,每一類有 N 溝道和 P 溝道兩種導電類型。

在生産電魚器的過程中,可将 MOSFET 和 BJT 比較,就很容易掌握,功率 MOSFET 是一種高輸入阻抗、電壓控制型器件,BJT 則是一種低阻抗、電流控制型器件。再比較二者的驅动電路,功率 MOSFET 的驅动電路相對簡單。BJT 可能需要多达 20% 的額定集電極電流以保證飽和度,而 MOSFET 需要的驅动電流則小得多,而且通常可以直接由 CMOS 或者集電極開路 TTL 驅动電路驅动。其次,MOSFET 的開關速度比較迅速,MOSFET 是一種多數載流子器件,能夠以較高的速度工作,因为沒有電荷存儲效應。其三,MOSFET 沒有二次擊穿失效機理,它在溫度越高時往往耐力越強,而且發生熱擊穿的可能性越低。它們還可以在較寬的溫度範圍内提供較好的性能。此外,MOSFET 具有并行工作能力,具有正的電阻溫度系數。溫度較高的器件往往把電流導向其它MOSFET,允許并行電路配置。而且,MOSFET 的漏極和源極之間形成的寄生二極管可以充當箝位二極管,在電感性負載開關中特别有用。

 
場管有兩種工作模式,即開關模式或線性模式。所謂開關模式,就是器件充當一個簡單的開關,在開與關兩個狀态之間切換。線性工作模式是指器件工作在某個特性曲線中的線性部分,但也未必如此。此處的“線性”是指 MOSFET 保持連續性的工作狀态,此時漏電流是所施加在栅極和源極之間電壓的函數。它的線性工作模式與開關工作模式之間的區别是,在開關電路中,MOSFET 的漏電流是由外部元件确定的,而在線性電路設計中卻并非如此。