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配资之家网MOS管被靜電擊穿的幾個原因

来源:http://www.ntweilai.com 更新:2013-11-13 12:34

我們在實際配资之家网的設計調試過程中,经常會有这樣的疑問,MOS管为什麼會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎麼回事?

其實MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而栅-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場合難于洩放電荷,容易引起靜電擊穿。

靜電擊穿有兩種方式;

一是電壓型,即栅極的薄氧化層發生擊穿,形成針孔,使栅極和源極間短路,或者使栅極和漏極間短路;

二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成栅極開路或者是源極開路。

現在的mos管沒有那麼容易被擊穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos栅極電容大,感應不出高壓。若是碰上3DO型的mos管冬天不帶防靜電環試試,基本上摸一個挂一個。

與幹燥的北方不同,南方潮濕不易産生靜電。還有就是現在大多數CMOS器件内部已经增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好习慣。至少使管腳可焊性變差。